Semi-conducteurs. Page 180 sur 485. Avtronic

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Affichage 21 articles: IRFP240 à IRFP4568PBF (Page 180 sur 485)

Transistor IRFP240

7.00€ TTC

171 En stock

Transistor IRFP240 N-MOS 200V 20A 150W 0.18R(12A). HEXFET TO247. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Paire: IRFP9240. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 20 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 12 A. Rds (Ohms): 0.18.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP250N

6.33€ TTC

143 En stock

Transistor IRFP250N N-MOS 200V 30A 214W 0.075R(21A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 30 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 21 A. Rds (Ohms): 0.075.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP260N

8.79€ TTC

85 En stock

Transistor IRFP260N N-MOS 200V 50A 300W 0.04R(35A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 50 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 35 A. Rds (Ohms): 0.04.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP264

11.37€ TTC

18 En stock

Transistor IRFP264 N-MOS 250V 38A/150Ap. 280W 0.075R(24A). HEXFET Power MOSFET. Idm: 150App. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 38 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 24 A. Rds (Ohms): 0.075.

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRFP27N60KPBF

19.21€ TTC

20 En stock

Transistor MOSFET canal-N 600V 27A/110Ap 500W. Résistance passante RDSon : 0.18 Ohms (18A)

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP2907

16.24€ TTC

65 En stock

Transistor IRFP2907 N-MOS 75V 209A 470W 0.036R. V-MOS TO247A. POWER MOSFET. Constructeur: IR. Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 209 A. Rds (Ohms): 0.036. Puissance: 470 W

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRFP3006PBF

17.58€ TTC

37 En stock

Transistor MOSFET canal-N 60V 270A/1080Ap 375W. Résistance passante RDSon : 0.0021 Ohms

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP31N50L

23.41€ TTC

28 En stock

Transistor IRFP31N50L N-MOS 500V 31A/124Ap. 460W 0.15R (20A). HEXFET POWER MOSFET. SMPS MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 31 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 20 A. Rds (Ohms): 0.15.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP3206

10.08€ TTC

64 En stock

Transistor IRFP3206 N-MOS 60V 120A 280W RDS(on) typ. 2.4mohm. HEXFET Power MOSFET. Idm: 840A(pulsed). td(on)19nS. td(off)55nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 120 A. Puissance: 280 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP350

10.30€ TTC

29 En stock

Transistor IRFP350 N-MOS 400V 16A 190W <0.3R(9.6A. V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 16 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 9.6 A. Rds (Ohms): 0.3. Puissance: 190 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP360

11.54€ TTC

9 En stock

Transistor IRFP360 N-MOS 400V 23A 280W <0.2R(14A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 23 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 14 A. Rds (Ohms): 0.2. Puissance: 280 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP360LC

10.42€ TTC

119 En stock

Transistor IRFP360LC N-MOS 400V 23A 280W <0.2R(14A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 23 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 14 A. Rds (Ohms): 0.2. Puissance: 280 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP3710

8.79€ TTC

11 En stock

Transistor IRFP3710 N-MOS 100V 57A 200W<0.026R(40A. HEXFET Power MOSFET. FastSwitch. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 57 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 40 A. Rds (Ohms): 0.026.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP3710N

8.90€ TTC

4 En stock

Transistor IRFP3710N N-MOS 100V 51A 180W<0.023R(40A. HEXFET Power MOSFET. FastSwitch. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 51 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 40 A. Rds (Ohms): 0.023.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP4227

10.81€ TTC

41 En stock

Transistor MOSFET canal N 200V 65A/260Ap. 330W 0.021R (46A). Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRFP4227PBF. Type de boîtier: TO-247. Boîtier: TO247AC. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 200V. Id(T:25): 65A. Puissance: 330 W. Id(T:100): 46A. Id(imp): 260 Ap. Idss (min): 20 uA. Idss (max): 1mA. Vgs

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP4232

27.94€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IRFP4232 N-MOS 250V 60A/240Ap. 430W 0.03R(42A). HEXFET Power-MOSFET. PDP SWITCH. Idm: 240Ap. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 60 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 42 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP4242

29.46€ TTC

1 En stock

Transistor IRFP4242 N-MOS 300V 46A/190Ap. 430W 0.047R (33A). HEXFET Power-MOSFET. PDP SWITCH. Idm: 190Ap. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 300 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 46 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 33 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP4332

14.06€ TTC

154 En stock

Transistor IRFP4332 N-MOS 250V 57A/230Ap. 360W 0.029R(40A). HEXFET Power-MOSFET. Idm: 230App. PDP SWITCH. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 57 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 40 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP450

8.12€ TTC

114 En stock

Transistor IRFP450 N-MOS 500V 14A 190W <0.4R(8.4A. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 14 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 8.4 A. Rds (Ohms): 0.4.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP450LC

11.03€ TTC

25 En stock

Transistor IRFP450LC N-MOS 500V 14A 190W <0.4R(8.6A). HEXFET Power MOSFET. Ultra low Gate Charger. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 14 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 8.6 A.

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRFP4568PBF

27.05€ TTC

35 En stock

Transistor MOSFET canal-N 150V 171A/684Ap 517W. Résistance passante RDSon : 0.0048 Ohms (121A)

Tarifs dégressifs

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Transistor IRFP240

Transistor IRFP240 N-MOS 200V 20A 150W 0.18R(12A). HEXFET TO247. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Paire: IRFP9240. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 20 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 12 A. Rds (Ohms): 0.18.

Transistor IRFP250N

Transistor IRFP250N N-MOS 200V 30A 214W 0.075R(21A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 30 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 21 A. Rds (Ohms): 0.075.

Transistor IRFP260N

Transistor IRFP260N N-MOS 200V 50A 300W 0.04R(35A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 50 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 35 A. Rds (Ohms): 0.04.

Transistor IRFP264

Transistor IRFP264 N-MOS 250V 38A/150Ap. 280W 0.075R(24A). HEXFET Power MOSFET. Idm: 150App. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 38 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 24 A. Rds (Ohms): 0.075.

Transistor MOSFET canal-N IRFP27N60KPBF

Transistor MOSFET canal-N 600V 27A/110Ap 500W. Résistance passante RDSon : 0.18 Ohms (18A)

Transistor IRFP2907

Transistor IRFP2907 N-MOS 75V 209A 470W 0.036R. V-MOS TO247A. POWER MOSFET. Constructeur: IR. Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 209 A. Rds (Ohms): 0.036. Puissance: 470 W

Transistor MOSFET canal-N IRFP3006PBF

Transistor MOSFET canal-N 60V 270A/1080Ap 375W. Résistance passante RDSon : 0.0021 Ohms

Transistor IRFP31N50L

Transistor IRFP31N50L N-MOS 500V 31A/124Ap. 460W 0.15R (20A). HEXFET POWER MOSFET. SMPS MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 31 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 20 A. Rds (Ohms): 0.15.

Transistor IRFP3206

Transistor IRFP3206 N-MOS 60V 120A 280W RDS(on) typ. 2.4mohm. HEXFET Power MOSFET. Idm: 840A(pulsed). td(on)19nS. td(off)55nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 120 A. Puissance: 280 W

Transistor IRFP350

Transistor IRFP350 N-MOS 400V 16A 190W <0.3R(9.6A. V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 16 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 9.6 A. Rds (Ohms): 0.3. Puissance: 190 W

Transistor IRFP360

Transistor IRFP360 N-MOS 400V 23A 280W <0.2R(14A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 23 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 14 A. Rds (Ohms): 0.2. Puissance: 280 W

Transistor IRFP360LC

Transistor IRFP360LC N-MOS 400V 23A 280W <0.2R(14A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 23 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 14 A. Rds (Ohms): 0.2. Puissance: 280 W

Transistor IRFP3710

Transistor IRFP3710 N-MOS 100V 57A 200W<0.026R(40A. HEXFET Power MOSFET. FastSwitch. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 57 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 40 A. Rds (Ohms): 0.026.

Transistor IRFP3710N

Transistor IRFP3710N N-MOS 100V 51A 180W<0.023R(40A. HEXFET Power MOSFET. FastSwitch. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 51 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 40 A. Rds (Ohms): 0.023.

Transistor IRFP4227

Transistor IRFP4232

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Transistor IRFP4332

Transistor IRFP4332 N-MOS 250V 57A/230Ap. 360W 0.029R(40A). HEXFET Power-MOSFET. Idm: 230App. PDP SWITCH. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 57 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 40 A.

Transistor IRFP450

Transistor IRFP450 N-MOS 500V 14A 190W <0.4R(8.4A. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 14 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 8.4 A. Rds (Ohms): 0.4.

Transistor IRFP450LC

Transistor IRFP450LC N-MOS 500V 14A 190W <0.4R(8.6A). HEXFET Power MOSFET. Ultra low Gate Charger. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 14 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 8.6 A.

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